История:
RM4/I-3C96
F3L150R12W2H3_B11
BCR 142 E6327
DG16R-B-02P
STGW40NC60KD
AT90PWM316-16MUR
0W888-002-XTP
K1500E70
ROD8/100-3C90
BCR 183 E6433
AC0603FR-07150RL
Q6040PH5-E
ROD8/50-3C90
AC0603FR-07102RL
TIG074E8-TL-H
FF200R17KE3_S4
AC0603FR-0718R2L
DCW12W8-05
BTB16-600BWRG
AC0603FR-07274RL
RM14/I-3F4
KWant250-1C05SDP
APTGTQ200SK65T3G
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Microchip
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65 V
Configuration
Single
Gate-Emitter Leakage Current
480 nA
Continuous Collector Current
200 A
Power Dissipation
483 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200SK65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль APTGTQ200SK65T3G в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by