История:
1065318
DCWN03W8-12
K0900G
FGH40N60SMDF
ADRF5731BCCZN
UMH2N-TP
K2402G
2013043595
FS225R17KE4
DBYV-02AX7-C50
ACST610-8R
DF400R12KE3
K2500G
APT60GA60JD60
5401000
5400800
2SC4774T106S
STB6-TW
105438
APT40GR120B2SCD10
01020071Z
FS300R12KE4
2N2369A
125198
RM4-3H3
FS225R17KE3
FGA60N65SMD
ACS120-7ST
DF300R07PE4_B6
FS500R17OE4DP
FS300R12KE3
LSP10480S
DS2.5-3L
5407000
ADRF5720BCCZN
K2000GRP
FF600R06ME3
FF600R12IP4
FS75R12KE3
BSM50GB120DLC
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Configuration
Dual
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
115 A
Power Dissipation
460 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль BSM50GB120DLC в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

