История:
FS75R12KE3
PLED35US
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FS75R12KE3
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FS75R12KE3G
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FS75R12KE3_B9
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R12KE3_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2013048488![]() |
Infineon FS75R12KE3BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В 105 А 350 Вт Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 670.72 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы
