История:
D-DS2.5-TW-01
37312000410
Дискретный модуль IXKN75N60C IXYS
Скачать datasheet
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
10 ns
Id - Continuous Drain Current
75 A
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Chassis Mount
Package/Case
SOT-227-4
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
30 mOhms
Rise Time
30 ns
RoHS
Details
Series
IXKN75N60
Technology
Si
Transistor Polarity
N-Channel
Type
CoolMOS Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
3.9 V
Описание
Дискретный модуль IXKN75N60C IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент IXKN75N60C IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом IXKN75N60C , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.