• Минск, Одесская 14, офис 5
Оптоэлектроника
Релейная защита и автоматика
Терморегулирование
Электропитание
Защита от замыкания
Датчики
Измерительное оборудование
Материалы для пайки
Оборудование рабочего места
Пассивные компоненты
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Соединители
Реле и пускатели
Ручной инструмент
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

F3L50R06W1E3_B11

Бренды сбросить
Каталоги
F3L50R06W1E3_B11
F3L50R06W1E3_B11
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание: F3L50R06W1E3_B11
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Infineon
Product IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.45 V
Configuration IGBT-Inverter
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Continuous Collector Current 75 A
Power Dissipation 175 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль F3L50R06W1E3_B11 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by