История:
T1035-6G
T1635T-8T
ESS-120A-25-B-OR-00
APTGT225SK170G
APTGL325A120D3G
AC0201FR-07220RL
DD400S33KL2C
BSM50GX120DN2
HMC891ALP5ETR
K2200GH
FF450R17IE4
FF400R12KT3_E
IXGH36N60B3D1
T1050-8G
FP50R12KS4C
FF450R12IE4
FF650R17IE4V
FP50R12KT4PBPSA1
FF600R12IE4V
T1210T-8FP
FP40R12KE3G
FF650R17IE4P
AC0201JR-073RL
FP30R06W1E3
FP75R12KT4PBPSA1
FF450R12ME4P
FP25R12W2T4
STGW40M120DF3
FP15R12W2T4
FP150R12KT4P
FS100R17N3E4
STGW60H65DFB
FF600R12ME4EB11BOSA1
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.75 V
Configuration
Common Emitter
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
600 A
Power Dissipation
20 mW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4EB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль FF600R12ME4EB11BOSA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

