Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: FF225R12ME4 P2300ECLRP2 1061385 APTGLQ200H65G 108838 FF100R12KS4 DA-016-M DGFA-01 2N2905A APT40GL120JU2 027538 FF225R17ME3 ZXTP25040DZTA FS225R12OE4P LSP05GI480PH 2N3904TA 125551 APT44GA60BD30 ACST1235-7T 192101 1065318 DCWN03W8-12 K0900G FGH40N60SMDF ADRF5731BCCZN UMH2N-TP K2402G 2013043595 FS225R17KE4 DBYV-02AX7-C50 ACST610-8R DF400R12KE3 K2500G APT60GA60JD60 5401000 5400800 2SC4774T106S STB6-TW 105438 APT40GR120B2SCD10 01020071Z FS300R12KE4 2N2369A 125198 RM4-3H3 FS225R17KE3 FGA60N65SMD ACS120-7ST DF300R07PE4_B6 FS500R17OE4DP FS300R12KE3 LSP10480S DS2.5-3L 5407000 ADRF5720BCCZN K2000GRP FF600R06ME3 FF600R12IP4 FS75R12KE3

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT

FP25R12W2T4_B11

FP25R12W2T4_B11

FP25R12W2T4_B11

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

FP25R12W2T4_B11

Описание: FP25R12W2T4_B11

Datasheet:

Характеристики

Manufacturer Infineon

Product IGBT Silicon Modules

Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.25 V

Gate-Emitter Leakage Current 400 nA

Continuous Collector Current 39 A

Power Dissipation 175 W

Описание

Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором

Скачать datasheet

Купить IGBT модуль FP25R12W2T4_B11 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by