FP50R12KT4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.25 V
Configuration
3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Continuous Collector Current
50 A
Power Dissipation
280 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet