История:
FP50R12KT4
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FP50R12KT4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP50R12KT4G
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP50R12KT4G_B15
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4G_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP50R12KT4PBPSA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FP50R12KT4_B11
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015340959![]() |
YJ MG50P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E1A) = Infineon FP50R12KT4 = FUJI 7MBR50VM120-50 = GD50F Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 218.77 BYN | ||
#2015340960![]() |
YJ MG50P12E2, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT4G; = FUJI 7MBR50VN120-50 Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 247.67 BYN |

Power
Sensors
Релейная защита и автоматика

