История:
BTA10-800CWRG
FP30R06W1E3_B11
AC0201JR-07680KL
VS-50MT060WHTAPBF
AC0201FR-0775KL
Z0109MN 6AA4
MKP1V160RLG
FF300R17ME4_B11
FZ2400R17HE4_B9
AA0201FR-07100RL
T2035H-8T
AC0201FR-078K25L
AC0201FR-07324KL
AC0201FR-075K11L
FZ800R12KE3
FP30R06YE3_B4
APTGT50DH60T1G
DG2000H-B-02P
AC0201FR-0724KL
STGWT30H65FB
AT73C509-MUR
ACT108W-600D,135
K1300E70
IXYH40N120B3D1
YAT-15A
MKI75-06A7T
AC0201FR-07150KL
AGN21006
K2400GH
AC0201FR-0727KL
6MS16017P43W40382
UMG6NTR
DDB6U75N16W1R
AC0201FR-075K62L
2N3417 APM
T405Q-600H
DGV10-01P-41
2N2219 PBFREE
FF450R17ME4_B11
MG12100D-BA1MM
FGD5T120SH
AC0201JR-07270RL
T1620T-8G
STGIB15CH60S-L
STGB40V60F
APTGT450A60G
FF150R12KE3_B8
BTA06-600BWRG
T810H-6G
F4-150R12KS4
FS50R17KE3_B17
APTGLQ40HR120CT3G
T1635T-8I
MIXA600PF650TSF
T1610T-8G
FP10R12W1T4_B29
AC0201FR-07825RL
Z0107NA,412
MLI080505-100-10
MLN0805-122
MLN0805-171
IFCM20U65GDXKMA1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Infineon
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
3-Phase
Gate-Emitter Leakage Current
1 mA
Continuous Collector Current
20 A
Power Dissipation
52.3 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM20U65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль IFCM20U65GDXKMA1 в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by