Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: K1500SRP MIEB101H1200EH T1035-6G T1635T-8T ESS-120A-25-B-OR-00 APTGT225SK170G APTGL325A120D3G AC0201FR-07220RL DD400S33KL2C BSM50GX120DN2 HMC891ALP5ETR K2200GH FF450R17IE4 FF400R12KT3_E IXGH36N60B3D1 T1050-8G FP50R12KS4C FF450R12IE4 FF650R17IE4V FP50R12KT4PBPSA1 FF600R12IE4V T1210T-8FP FP40R12KE3G FF650R17IE4P AC0201JR-073RL FP30R06W1E3 FP75R12KT4PBPSA1 FF450R12ME4P FP25R12W2T4 STGW40M120DF3 FP15R12W2T4 FP150R12KT4P FS100R17N3E4 STGW60H65DFB

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

STGB3NC120HDT4

Описание: STGB3NC120HDT4

Характеристики

Manufacturer STMicroelectronics

Collector-Emitter Voltage 1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 14 A

Power Dispation 75 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-STGB3NC120HDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор STGB3NC120HDT4 в каталоге Components.by