История:
F3L300R12ME4_B23
NTCDS4AG502HC4NB
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению
|
F3L300R12ME4_B23
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12ME4_B23: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1
