Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FF200R12KE3
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
||
|
FF200R12KE3_B2
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2011040801![]() |
Infineon FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 768.73 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы
