История:
02302.25DRT2SP
STM32F446VCT6
EP3C80F780C7N
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению 
|
FB10R06KL4G
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
||
|
К сравнению 
|
FB10R06KL4G_B1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1