История:
IXYH80N90C3
VG222038Y770DP
IXYH40N90C3
BCR08AM-12A
L6008V8TP
112KH14
151KE25
Q4008LT
ACTT12B-800CTJ
L6006V8TP
Q4004V4TP
Z21D680
Q401E4
L4004L5
L6004V8TP
L6006L8TP
VG121038S770DP
Q4010L4
096106
ACTT12-800CTQ
ACTT6B-800CNJ
ACTT8B-800CTNJ
142KS34
SB8.2-2
241601
VC120626D580DP
057969
BU7253SF-E2
Q6012NH2RP
TS3704CDT
TPP2.5-PR
0LCC6
048809
| Фото | Наименование | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
К сравнению
|
FF1000R17IE4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
||
|
К сравнению
|
FF1000R17IE4D_B2
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
||
|
К сравнению
|
FF1000R17IE4DP_B2
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4DP_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
||
|
К сравнению
|
FF1000R17IE4P
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
|
поиск предложений
|
1
