Релейная защита и автоматика
Пассивные компоненты
Полупроводниковые приборы
Соединители
Электромеханика
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Результат поиска

Фото Наименование Количество Поставка Цена
К сравнению
FP35R12W2T4
FP35R12W2T4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
поиск предложений
К сравнению
FP35R12W2T4PB11BPSA1
FP35R12W2T4PB11BPSA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
поиск предложений
К сравнению
FP35R12W2T4PBPSA1
FP35R12W2T4PBPSA1
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
поиск предложений
К сравнению
FP35R12W2T4_B11
FP35R12W2T4_B11
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
поиск предложений
1


Удаленный склад

Код и фото Наименование Кол-во Поставка Цена
#2015340954 YJ MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI) Силовые IGBTи SiC модули 0.00 шт. под заказ
#2015547998 Infineon FP35R12W2T4BOMA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 35A Силовые IGBTи SiC модули 0.00 шт. под заказ