IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT200TP065N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Vishay | 650 V | 1.9 V | Half Bridge | 600 nA | 221 A | 600 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300FD060N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Vishay | 600 V | 1.72 V | Half Bridge | 500 nA | 379 A | 1.25 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300YH120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Vishay | 1200 V | 2.17 V | 400 nA | 341 A | 1.042 kW | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT400TH60N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Vishay | 600 V | 1.6 V | Half Bridge | 400 nA | 530 A | 1.6 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VUB120-16NOX: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VUB120-16NOXT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VUB145-16NOXT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VUB160-16NOX: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS |
