Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
TDB6HK180N16RR TDB6HK180N16RR	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module TDB6HK180N16RR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
TDB6HK180N16RR_B11 TDB6HK180N16RR_B11	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module TDB6HK180N16RR_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
TDB6HK180N16RR_B48 TDB6HK180N16RR_B48	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module TDB6HK180N16RR_B48: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
TDB6HK240N16P TDB6HK240N16P	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module TDB6HK240N16P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
TDB6HK360N16P TDB6HK360N16P	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module TDB6HK360N16P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
VII130-06P1 VII130-06P1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VII130-06P1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	121 A
VS-100MT060WSP VS-100MT060WSP	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-100MT060WSP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	600 V	2.14 V	Full Bridge	200 nA	107 A	403 W
VS-50MT060WHTAPBF VS-50MT060WHTAPBF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-50MT060WHTAPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules
VS-70MT060WHTAPBF VS-70MT060WHTAPBF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-70MT060WHTAPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	100 A
VS-ETF075Y60U VS-ETF075Y60U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF075Y60U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	200 nA; 400 nA	109 A	294 W
VS-ETF150Y65N VS-ETF150Y65N	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF150Y65N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	650 V	1.7 V	Half Bridge	600 nA	201 A	600 W
VS-ETF150Y65U VS-ETF150Y65U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF150Y65U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	650 V	1.72 V; 1.75 V	Half Bridge	600 nA	142 A; 201 A	417 W; 600 W
VS-GA300TD60S VS-GA300TD60S	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GA300TD60S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	600 V	1.24 V	Half Bridge	200 nA	530 A	1.136 kW
VS-GA75TS120UPBF VS-GA75TS120UPBF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GA75TS120UPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	110 A
VS-GB100TH120U VS-GB100TH120U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100TH120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	1200 V	3.1 V	Half Bridge	400 nA	200 A	1.136 kW
VS-GB100TS60NPBF VS-GB100TS60NPBF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100TS60NPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	108 A
VS-GB100YG120NT VS-GB100YG120NT	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB100YG120NT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	1200 V	4-Pack	440 nA	127 A	625 W
VS-GB150TH120U VS-GB150TH120U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB150TH120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	1200 V	3.1 V	Half Bridge	400 nA	280 A	1.147 kW
VS-GB150YG120NT VS-GB150YG120NT	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB150YG120NT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	1200 V	4-Pack	440 nA	182 A	892 W
VS-GB200TH120U VS-GB200TH120U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB200TH120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	1200 V	3.1 V	Half Bridge	400 nA	330 A	1.316 kW
VS-GB50YF120N VS-GB50YF120N	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB50YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	1200 V	Quad	66 A
VS-GB75YF120N VS-GB75YF120N	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	IGBT Silicon Modules	1200 V	Quad	100 A
VS-GB75YF120UT VS-GB75YF120UT	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB75YF120UT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	1200 V	3.8 V	200 nA	100 A	480 W
VS-GB90SA120U VS-GB90SA120U	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB90SA120U: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	1200 V	3.3 V	Single	250 nA	149 A	862 W
VS-GT100TP60N VS-GT100TP60N	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT100TP60N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Vishay	600 V	1.65 V	Half Bridge	400 nA	160 A	417 W