История:
1.5FMCJ110C-W
IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | Dual | 121 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 600 V | 2.14 V | Full Bridge | 200 nA | 107 A | 403 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 600 V | Dual | 100 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 600 V | Dual | 200 nA; 400 nA | 109 A | 294 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.7 V | Half Bridge | 600 nA | 201 A | 600 W | |
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.72 V; 1.75 V | Half Bridge | 600 nA | 142 A; 201 A | 417 W; 600 W | |
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 600 V | 1.24 V | Half Bridge | 200 nA | 530 A | 1.136 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Dual | 110 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 1200 V | 3.1 V | Half Bridge | 400 nA | 200 A | 1.136 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 600 V | Dual | 108 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 4-Pack | 440 nA | 127 A | 625 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 1200 V | 3.1 V | Half Bridge | 400 nA | 280 A | 1.147 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 4-Pack | 440 nA | 182 A | 892 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 1200 V | 3.1 V | Half Bridge | 400 nA | 330 A | 1.316 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Quad | 66 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Quad | 100 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 1200 V | 3.8 V | 200 nA | 100 A | 480 W | |||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 1200 V | 3.3 V | Single | 250 nA | 149 A | 862 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Vishay | 600 V | 1.65 V | Half Bridge | 400 nA | 160 A | 417 W |
