История:
EEC1005-I/SX1-UB1
ATS1005-2DB-FD-T1
ESF-PS100A16BN
ATS1005-3DB-FD-T1
ATS1005-9DB-FD-T1
DMVA2ZCEDR
ATS2012-1DB-T1
ESF-SU250A19B
ATS2012-0DB-T1
ESF-PS300A95B
ATS1005-8DB-FD-T1
ATS1005-7DB-FD-T1
ATS1005-4DB-FD-T1
LTC1059CS
ATS2012-9DB-T1
ESF-RS120A25YC
ATS1005-6DB-FD-T1
ATS1005-5DB-FD-T1
ATS2012-8DB-T1
LS1017ASE7PQA
ESS-120A-25-C-OR-00
ATS2012-4DB-T1
ATS2012-7DB-T1
AM1705DPTP3
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3H60T-HLS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3H60T-HZ: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Carbide Modules | 600 V | 2.15 V | Half Bridge | 3 A | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3H60T-HZS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3HD60-HL: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.15 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 8 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3HD60-HZ: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.15 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 8 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HL: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Carbide Modules | 600 V | 2.15 V | Half Bridge | 5 A | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HLS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HZ: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Carbide Modules | 600 V | 2.15 V | Half Bridge | 5 A | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HZS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Carbide Modules | 600 V | 2.15 V | Half Bridge | 5 A | 13.6 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ8C60T-HZ: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Half Bridge | 8 A | 19.2 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 10 A | 33 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10C60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 10 A | 33 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10K60A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10K60A2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.1 V | 3-Phase | 10 A | 33 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10K60T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS14K60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | Single | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS14K60T: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS15C60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase | 15 A | 42 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS15C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS20C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.7 V | 3-Phase | 20 A | 46 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS20C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS20K60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | Single | 30 A | 52 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.2 V | 3-Phase | 30 A | 52 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.9 V | 3-Phase Inverter | - | 30 A | 52 W |
