IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB10CH60S-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB10CH60TS-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 15 A | 66 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB10CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 10 A | 60 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB15CH60S-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB15CH60S-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB15CH60TS-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 15 A | 75 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB15CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 15 A | 75 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB20M60S-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB8CH60S-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB8CH60TS-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.91 V | 3-Phase | 12 A | 50 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIB8CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.91 V | 3-Phase | 12 A | 50 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIF10CH60TS-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.65 V | 3-Phase Inverter | 15 A | 33 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIF10CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.6 V | 3-Phase Inverter | 10 A | 26 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIF5CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIF7CH60TS-E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIF7CH60TS-L: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.7 V | 3-Phase Inverter | 10 A | 31 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPL14K60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | Single | 44 W | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPL14K60-S: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.1 V | 3-Phase Inverter | 15 A | 44 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPL20K60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 56 W | ||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60AT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.6 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 8 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.15 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 8 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3HD60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.15 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 7 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPNS3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.15 V | 3-Phase Inverter | 3 A | 6.6 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ3H60T-HL: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
STMicroelectronics | IGBT Silicon Carbide Modules | 600 V | 2.15 V | Half Bridge | 3 A |
