Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
MIXA10WB1200TML MIXA10WB1200TML	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA10WB1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	17 A	63 W
MIXA150Q1200VA MIXA150Q1200VA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150Q1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	220 A	695 W
MIXA150R1200VA MIXA150R1200VA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150R1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Single	500 nA	220 A	695 W
MIXA150W1200TEH MIXA150W1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA150W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	220 A	695 W
MIXA151W1200EH MIXA151W1200EH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA151W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	220 A	695 W
MIXA20W1200TML MIXA20W1200TML	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA20W1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	28 A	100 W
MIXA20WB1200TED MIXA20WB1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA20WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	3-Phase	500 nA	28 A; 17 A	100 W; 60 W
MIXA20WB1200TML MIXA20WB1200TML	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA20WB1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	3-Phase	500 nA	28 A; 17 A	100 W; 63 W
MIXA225PF1200TSF MIXA225PF1200TSF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA225PF1200TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Dual	1.5 uA	360 A
MIXA225RF1200TSF MIXA225RF1200TSF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA225RF1200TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Single	1.5 uA	360 A	1.1 kW
MIXA300PF1200TSF MIXA300PF1200TSF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA300PF1200TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	IGBT-Inverter	0.3 mA	465 A	1.5 kW
MIXA30W1200TED MIXA30W1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA30W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	43 A	150 W
MIXA30W1200TML MIXA30W1200TML	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA30W1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	43 A	150 W
MIXA30WB1200TED MIXA30WB1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA30WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	3-Phase	500 nA	43 A; 17 A	150 W; 60 W
MIXA40W1200TED MIXA40W1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA40W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	60 A	195 W
MIXA40WB1200TED MIXA40WB1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA40WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	60 A	195 W
MIXA450PF1200TSF MIXA450PF1200TSF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA450PF1200TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Dual	1.5 uA	650 A	2.1 kW
MIXA600PF650TSF MIXA600PF650TSF	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA600PF650TSF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	650 V	1.65 V	Dual	1.5 uA	720 A	1.75 kW
MIXA60HU1200VA MIXA60HU1200VA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60HU1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	85 A	290 W
MIXA60W1200TED MIXA60W1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	85 A	290 W
MIXA60WB1200TEH MIXA60WB1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WB1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	85 A	290 W
MIXA60WH1200TEH MIXA60WH1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA60WH1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	60 A	195 W
MIXA61H1200ED MIXA61H1200ED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA61H1200ED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Half Bridge	500 nA	85 A	290 W
MIXA80R1200VA MIXA80R1200VA	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80R1200VA: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.9 V	Single	500 nA	120 A	390 W
MIXA80W1200TED MIXA80W1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA80W1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	120 A	390 W