Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
MG1275W-XN2MM MG1275W-XN2MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1275W-XN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.9 V	3-Phase Inverter	400 nA	105 A	368 W
MG17100D-BN4MM MG17100D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17100D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	150 A	690 W
MG17100S-BN4MM MG17100S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17100S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	150 A	620 W
MG17150D-BN4MM MG17150D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17150D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	250 A	890 W
MG17200D-BN4MM MG17200D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17200D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	300 A	1250 W
MG17225WB-BN4MM MG17225WB-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17225WB-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	325 A	1400 W
MG17300D-BN4MM MG17300D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17300D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	400 A	1450 W
MG17300WB-BN4MM MG17300WB-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17300WB-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	375 A	1650 W
MG17450WB-BN4MM MG17450WB-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG17450WB-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	600 A	2250 W
MG1750S-BN4MM MG1750S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1750S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	75 A	320 W
MG1775S-BN4MM MG1775S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG1775S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1700 V	2 V	Half Bridge	400 nA	125 A	520 W
MID100-12A3 MID100-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID100-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	300 nA	135 A	560 W
MID145-12A3 MID145-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID145-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	400 nA	160 A	700 W
MID150-12A4 MID150-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID150-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	400 nA	180 A	760 W
MID200-12A4 MID200-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID200-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	270 A
MID300-12A4 MID300-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID300-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	800 nA	330 A	1.38 kW
MID550-12A4 MID550-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.3 V	Single	1.6 uA	670 A	2.75 kW
MID75-12A3 MID75-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MID75-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	200 nA	90 A	370 W
MIEB100W1200TEH MIEB100W1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB100W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	200 nA	183 A	630 W
MIEB101H1200EH MIEB101H1200EH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB101H1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	Half Bridge	200 nA	183 A	630 W
MIEB101W1200EH MIEB101W1200EH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIEB101W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	200 nA	183 A	630 W
MIXA100W1200TEH MIXA100W1200TEH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA100W1200TEH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	155 A	500 W
MIXA101W1200EH MIXA101W1200EH	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA101W1200EH: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Hex	0.03 mA	155 A	500 W
MIXA10W1200TML MIXA10W1200TML	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA10W1200TML: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	1.8 V	6-Pack	500 nA	17 A	65 W
MIXA10WB1200TED MIXA10WB1200TED	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MIXA10WB1200TED: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	1200 V	500 nA	17 A	60 W