Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
IXGX50N120C3H1 IXGX50N120C3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.6 V	Single	100 nA	95 A
IXGX55N120A3H1 IXGX55N120A3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS
IXGX64N60B3D1 IXGX64N60B3D1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX64N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS
IXRB5-506MINIPACK2 IXRB5-506MINIPACK2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXRB5-506MINIPACK2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules
IXXN110N65C4H1 IXXN110N65C4H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN110N65C4H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	650 V	1.98 V	Single Dual Emitter	100 nA	210 A	750 W
IXXN200N60C3H1 IXXN200N60C3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXXN200N60C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	600 V	1.6 V	Single	200 nA	200 A
IXYN30N170CV1 IXYN30N170CV1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN30N170CV1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1700 V	3 V	Single Dual Emitter	100 nA	88 A	680 W
IXYN80N90C3H1 IXYN80N90C3H1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXYN80N90C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	900 V	2.7 V	Single	100 nA	115 A
MDI100-12A3 MDI100-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI100-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	300 nA	135 A	560 W
MDI145-12A3 MDI145-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI145-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	400 nA	160 A	700 W
MDI150-12A4 MDI150-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI150-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	180 A
MDI200-12A4 MDI200-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI200-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	270 A
MDI300-12A4 MDI300-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI300-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	330 A
MDI550-12A4 MDI550-12A4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI550-12A4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	670 A
MDI75-12A3 MDI75-12A3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MDI75-12A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	IXYS	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	90 A
MG06100S-BN4MM MG06100S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06100S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	125 A	330 W
MG06100S-BR1MM MG06100S-BR1MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06100S-BR1MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	125 A	330 W
MG06150S-BN4MM MG06150S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06150S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	225 A	500 W
MG06200S-BN4MM MG06200S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06200S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	300 A	600 W
MG06300D-BN4MM MG06300D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06300D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	400 A	940 W
MG06400D-BN4MM MG06400D-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06400D-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Dual	1.2 uA	400 A	1400 W
MG06600WB-BN4MM MG06600WB-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG06600WB-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	700 A	1.5 kW
MG0675S-BN4MM MG0675S-BN4MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG0675S-BN4MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	Dual	400 nA	100 A	250 W
MG12100D-BA1MM MG12100D-BA1MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG12100D-BA1MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	Dual	400 nA	160 A	1000 W
MG12100S-BN2MM MG12100S-BN2MM	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module MG12100S-BN2MM: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Littelfuse	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	140 A	450 W