IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N60C3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | Single | 100 nA | 60 A | 220 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH30N60C3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | 100 nA | 60 A | 220 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH48N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | Single | 100 nA | 300 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | Single | 100 nA | 150 A | 330 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH56N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.49 V | Single | 100 nA | 350 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH60N60C3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 100 nA | 75 A | 380 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH64N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | Single | 100 nA | 460 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGH64N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.59 V | Single | 100 nA | 400 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK300N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK320N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | Single | 400 nA | 500 A | 1.7 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.6 V | Single | 100 nA | 95 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | Single | 100 nA | 125 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGK64N60B3D1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | 100 nA | 460 W | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGN400N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.25 V | Single | 400 nA | 430 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGN50N120C3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 1200 V | 100 nA | 95 A | 460 W | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGP12N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.4 V | Single | 100 nA | 22 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR55N120A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.2 V | Single | 100 nA | 70 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR6N170A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 5.4 V | Single | 100 nA | 5.5 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR72N60A3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | 100 nA | 75 A | 200 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGR72N60B3H1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 100 nA | 80 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT32N120A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 1200 V | Single | 100 nA | 75 A | 300 W | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT72N60A3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.35 V | Single | 100 nA | 75 A | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGT72N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX300N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IXGX320N60B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
IXYS | 600 V | 600 V | Single | 400 nA | 500 A | 1.7 kW |
