IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module https://www.infineon.com/export/sites/default/_images/product/power/igbt/IGBT-Module…
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Array 7 | 20 A | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module HYBRIDKIT1TOBO1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM20T65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.7 V | 2-Phase | 1 mA | 20 A | 52.3 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM20U65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.7 V | 3-Phase | 1 mA | 20 A | 52.3 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM30T65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.75 V | 2-Phase | 1 mA | 30 A | 60.4 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFCM30U65GDXKMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.75 V | 3-Phase | 1 mA | 30 A | 60.4 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF450B12ME4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | Dual | 400 nA | 450 A | 20 mW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF450B12ME4S8PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 400 nA | 450 A | |||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF600B12ME4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | Dual | 400 nA | 600 A | 20 mW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFF600B12ME4S8PB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | 400 nA | 600 A | 20 mW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS100B12N3E4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS100B12N3E4_B31: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS100B17N3E4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS150B12N3E4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS150B12N3E4_B31: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS150B17N3E4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IFS75B12N3E4_B31: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC20KDSTRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 16 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC20KDSTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 16 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC30KDSTRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 28 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC30KDSTRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 28 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC30W-STRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 23 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BC40W-STRRP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 40 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4BH20K-STRLP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 1200 V | Single | 11 A | |||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module IRG4RC10KDTRPBF: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | 600 V | Single | 9 A |
