Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17HP4_B21: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V Dual 2300 A
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R12HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R12HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HP4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B28: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ250R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ300R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 480 A 1450 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 1.9 V Triple 400 nA 3600 A 21 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 2.25 V 400 nA 3600 A 21 kW
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 650 A 2250 W
в наличии
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KE3B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Single Dual Collector Dual Emitter 650 A
...3839404142...