IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Dual | 2300 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 480 A | 1450 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 1.9 V | Triple | 400 nA | 3600 A | 21 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.25 V | 400 nA | 3600 A | 21 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 650 A | 2250 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Single Dual Collector Dual Emitter | 650 A |
