История:
PIC32MX130F064BT-I/SO
PBSH-M12A-05P-MM-SL7002
PASH-M12A-05P-MM-SL7002
PBSH-M12A-03P-MM-SR7002
2EDGKDAM-5.08-02P
PIC32MX120F064HT-50I/PT
PIC32MX120F032DT-V/PT
TR2/GMC-V-6.3-R
PASH-M12A-05P-MM-SR7002
PBSH-M12A-05P-MM-SR7002
PIC32MX120F032DT-I/ML
APTM50AM24SCG
LS1012ASN7EKA
PF29R01T08PCMF2S B48
LS1012ASN7HKA
LS1012AXE7EKA
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17HP4_B21: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Dual | 2300 A | ||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R12HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R12HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HP4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1800R17HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R12HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HE4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B28: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ2400R17HP4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ250R65KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ300R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 480 A | 1450 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | |||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | ||||||||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 1.9 V | Triple | 400 nA | 3600 A | 21 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ3600R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.25 V | 400 nA | 3600 A | 21 kW | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 650 A | 2250 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ400R12KE3B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Single Dual Collector Dual Emitter | 650 A |
