Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Количество	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FS75R17KE3 FS75R17KE3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS75R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Hex	130 A
FS770R08A6P2BBPSA1 FS770R08A6P2BBPSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS770R08A6P2BBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	750 V	1.1 V	6-Pack	400 nA	450 A	654 W
FS770R08A6P2LBBPSA1 FS770R08A6P2LBBPSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS770R08A6P2LBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	750 V	1.1 V	6-Pack	400 nA	450 A	654 W
FS800R07A2E3B32BOSA1 FS800R07A2E3B32BOSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS800R07A2E3B32BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.4 V	Single	400 nA	800 A	1.5 kW
FS800R07A2E3_B31 FS800R07A2E3_B31	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS800R07A2E3_B31: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.4 V	Single	400 nA	800 A	1.5 kW
FS820R08A6P2BBPSA1 FS820R08A6P2BBPSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS820R08A6P2BBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	750 V	1.1 V	6-Pack	400 nA	450 A	714 W
FS820R08A6P2BPSA1 FS820R08A6P2BPSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS820R08A6P2BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	750 V	1.1 V	6-Pack	400 nA	450 A	714 W
FS820R08A6P2LBBPSA1 FS820R08A6P2LBBPSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS820R08A6P2LBBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS900R08A2P2B31BOSA1 FS900R08A2P2B31BOSA1	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS900R08A2P2B31BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FSAM75SM60A FSAM75SM60A	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FSAM75SM60A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	600 V	2.4 V	3-Phase	250 uA	75 A	189 W
FT150R12KE3G_B4 FT150R12KE3G_B4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FT150R12KE3G_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Triple	200 A
FZ1000R33HE3 FZ1000R33HE3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1000R33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1000R33HL3 FZ1000R33HL3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1000R33HL3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	Dual	1000 A
FZ1200R12HE4 FZ1200R12HE4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R12HE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R12HP4 FZ1200R12HP4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R17HE4 FZ1200R17HE4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R17HE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R17HP4 FZ1200R17HP4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R17HP4_B2 FZ1200R17HP4_B2	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R33HE3 FZ1200R33HE3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1200R33KF2C FZ1200R33KF2C	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	3300 V	3.4 V	Triple Common Emitter Common Gate	400 nA	2000 A	14.5 kW
FZ1200R45KL3_B5 FZ1200R45KL3_B5	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1200R45KL3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1500R33HE3 FZ1500R33HE3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1500R33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1500R33HL3 FZ1500R33HL3	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1500R33HL3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	Triple	1500 A
FZ1600R12HP4 FZ1600R12HP4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R12HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FZ1600R17HP4 FZ1600R17HP4	в наличии	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FZ1600R17HP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon