Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FS400R07A3E3H6BPSA1 FS400R07A3E3H6BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R07A3E3H6BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS400R12A2T4 FS400R12A2T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS400R12A2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.8 V	3-Phase	400 nA	400 A	1.5 kW
FS450R12KE3 FS450R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Hex	400 nA	600 A	2.1 kW
FS450R12KE4 FS450R12KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS450R12OE4 FS450R12OE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R12OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS450R12OE4P FS450R12OE4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R12OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS450R17KE3 FS450R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Hex	400 nA	605 A	2250 W
FS450R17KE4 FS450R17KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS450R17OE4 FS450R17OE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS450R17OE4P FS450R17OE4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.95 V	6-Pack	400 nA	450 A	20 mW
FS450R17OP4PBOSA1 FS450R17OP4PBOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS450R17OP4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.95 V	6-Pack	400 nA	450 A	2400 W
FS500R17OE4D FS500R17OE4D	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS500R17OE4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS500R17OE4DP FS500R17OE4DP	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS500R17OE4DP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS50R06KE3 FS50R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	70 A
FS50R06W1E3 FS50R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	70 A
FS50R06W1E3_B11 FS50R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	IGBT-Inverter	400 nA	70 A	205 W
FS50R06YE3 FS50R06YE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06YE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	60 A
FS50R06YL4 FS50R06YL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R06YL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	55 A
FS50R07W1E3B11ABOMA1 FS50R07W1E3B11ABOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R07W1E3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.7 V	Single	400 nA	70 A	205 W
FS50R07W1E3_B11A FS50R07W1E3_B11A	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R07W1E3_B11A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.7 V	Single	400 nA	70 A	205 W
FS50R12KE3 FS50R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Hex	400 nA	75 A	270 W
FS50R12KT3 FS50R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	75 A
FS50R12KT4P_B11 FS50R12KT4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KT4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS50R12KT4_B11 FS50R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS50R12KT4_B15 FS50R12KT4_B15	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS50R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon