История: 
																		PIC32MX230F128LT-I/PT
												
										
				
			IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 200 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07A5E3S6BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07N3E4R: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07N3E4R_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 400 nA | 200 A | 600 W | ||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12KT4R: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12KT4R_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 400 nA | 280 A | 1000 W | ||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | IGBT-Inverter | 100 nA | 200 A | 20 mW | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.55 V | IGBT-Inverter | 400 nA | 25 A | 71.5 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 25 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Hex | 400 nA | 35 A | 135 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | |||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS215R04A1E3DBOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 325 A | 1.15 kW | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 320 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Hex | 400 nA | 340 A | 1.4 kW | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 40 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 40 A | 

 
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                    