Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 200 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07A5E3S6BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07N3E4R: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07N3E4R_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 650 V 1.95 V 400 nA 200 A 600 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12KT4R: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12KT4R_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.15 V 400 nA 280 A 1000 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS200R12PT4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.75 V IGBT-Inverter 100 nA 200 A 20 mW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 1.55 V IGBT-Inverter 400 nA 25 A 71.5 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 25 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Hex 400 nA 35 A 135 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS20R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS215R04A1E3DBOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Hex 400 nA 325 A 1.15 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 320 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R12OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Hex 400 nA 340 A 1.4 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17OE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS225R17OE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 40 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS25R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 40 A
...3334353637...