История: 
																		2SC4117-GR,LF
												
										
				
			IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Hex | 400 nA | 16 A | 50 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 16 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VL4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 16 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R12VT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 16 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R12YE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | |||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.9 V | Hex | 400 nA | 150 A | 430 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 400 nA | 150 A | 430 W | ||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 205 A | 700 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Hex | 400 nA | 200 A | 695 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | Hex | 400 nA | 200 A | 700 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 150 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 150 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | 100 nA | 150 A | 750 W | ||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Hex | 400 nA | 240 A | 1.05 kW | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 1.95 V | 100 nA | 150 A | 835 W | ||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150RE12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | ||||||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.55 V | IGBT-Inverter | 400 nA | 22 A | 65 W | |
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 22 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12VT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 24 A | ||||
|  |  | 
                        
                        поиск предложений
                     | Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затворомПодробнее | Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Hex | 25 A | 

 
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                     
                                
                                                    