Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 2 V Hex 400 nA 16 A 50 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 16 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R06VL4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 16 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R12VT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 16 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS10R12YE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 1.9 V Hex 400 nA 150 A 430 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 650 V 1.95 V 400 nA 150 A 430 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Hex 400 nA 205 A 700 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Hex 400 nA 200 A 695 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.15 V Hex 400 nA 200 A 700 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 150 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 150 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12KT4_B9: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.1 V 100 nA 150 A 750 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Hex 400 nA 240 A 1.05 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150R17PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1700 V 1.95 V 100 nA 150 A 835 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS150RE12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R06VE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V 1.55 V IGBT-Inverter 400 nA 22 A 65 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R06XE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Hex 22 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12VT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 24 A
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS15R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Hex 25 A
...3233343536...