Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FP75R12KT4_B11 FP75R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	75 A
FP75R12KT4_B15 FP75R12KT4_B15	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	100 nA	75 A	385 W
FP75R17N3E4 FP75R17N3E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP75R17N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FPF2C8P2NL07A FPF2C8P2NL07A	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2C8P2NL07A: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	650 V	2.13 V; 2.49 V	3-Phase	2 uA; 2 uA	30 A; 50 A	135 W; 174 W
FPF2G120BF07AS FPF2G120BF07AS	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2G120BF07AS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	650 V	1.55 V	Triple	2 uA	40 A	98 W; 140 W; 156 W
FPF2G120BF07ASP FPF2G120BF07ASP	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FPF2G120BF07ASP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	650 V	1.55 V	Triple	2 uA	40 A	156 W
FS100R06KE3 FS100R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.9 V	Hex	400 nA	100 A	335 W
FS100R07N2E4 FS100R07N2E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R07N2E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R07N2E4_B11 FS100R07N2E4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R07N2E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R07PE4 FS100R07PE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R12KE3 FS100R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Hex	400 nA	140 A	480 W
FS100R12KS4 FS100R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Hex	400 nA	130 A	660 W
FS100R12KT3 FS100R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	140 A
FS100R12KT4 FS100R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R12KT4G FS100R12KT4G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.2 V	Hex	100 nA	100 A	515 W
FS100R12KT4G_B11 FS100R12KT4G_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4G_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	100 A
FS100R12KT4PB11BPSA1 FS100R12KT4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R12KT4PBPSA1 FS100R12KT4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12KT4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R12N2T4PBPSA1 FS100R12N2T4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12N2T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R12PT4 FS100R12PT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12PT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	100 nA	135 A	500 W
FS100R12W2T7B11BOMA1 FS100R12W2T7B11BOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R12W2T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.5 V	6-Pack	100 nA	70 A
FS100R17KE3 FS100R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Hex	145 A
FS100R17N3E4 FS100R17N3E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R17N3E4PB11BPSA1 FS100R17N3E4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17N3E4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FS100R17N3E4_B11 FS100R17N3E4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FS100R17N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon