Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FP20R06YE3_B4 FP20R06YE3_B4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP20R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	IGBT-Inverter	40 A	170 W
FP25R12KE3 FP25R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Hex	400 nA	40 A	150 W
FP25R12KS4C FP25R12KS4C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KS4C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	3.2 V	Hex	400 nA	25 A	230 W
FP25R12KT3 FP25R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	40 A
FP25R12KT4 FP25R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	3-Phase	100 nA	25 A	160 W
FP25R12KT4B16BOSA1 FP25R12KT4B16BOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4B16BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP25R12KT4_B11 FP25R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP25R12KT4_B15 FP25R12KT4_B15	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual Modules	100 nA	160 W
FP25R12U1T4 FP25R12U1T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12U1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	PIM 3-Phase Input Rectifier	400 nA	39 A	190 W
FP25R12W1T7B11BPSA1 FP25R12W1T7B11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W1T7B11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.6 V	PIM	100 nA	25 A
FP25R12W2T4 FP25R12W2T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	39 A
FP25R12W2T4PB11BPSA1 FP25R12W2T4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP25R12W2T4PBPSA1 FP25R12W2T4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP25R12W2T4_B11 FP25R12W2T4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP25R12W2T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.25 V	400 nA	39 A	175 W
FP30R06KE3 FP30R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Array 7	37 A
FP30R06W1E3 FP30R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Array 7	37 A
FP30R06W1E3_B11 FP30R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP30R06YE3_B4 FP30R06YE3_B4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP30R06YE3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP35R12KT4 FP35R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	35 A
FP35R12KT4_B11 FP35R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	35 A
FP35R12KT4_B15 FP35R12KT4_B15	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12KT4_B15: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	100 nA	35 A	210 W
FP35R12U1T4 FP35R12U1T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12U1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	PIM 3-Phase Input Rectifier	400 nA	54 A	250 W
FP35R12W2T4 FP35R12W2T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Hex	54 A
FP35R12W2T4PB11BPSA1 FP35R12W2T4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP35R12W2T4PBPSA1 FP35R12W2T4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP35R12W2T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon