Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF900R12IP4V FF900R12IP4V	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FNE41060 FNE41060	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FNE41060: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	600 V	1.7 V	3-Phase	10 A	34 W
FP06R12W1T4_B3 FP06R12W1T4_B3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP06R12W1T4_B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP100R06KE3 FP100R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.9 V	Array 7	100 nA	100 A	335 W
FP100R07N3E4 FP100R07N3E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP100R07N3E4_B11 FP100R07N3E4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R07N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP100R12KT4 FP100R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	3-Phase	100 nA	100 A	5.15 W
FP100R12KT4_B11 FP100R12KT4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP100R12KT4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	100 A
FP10R06KL4 FP10R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	400 nA	16 A	55 W
FP10R06W1E3 FP10R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2 V	Array 7	400 nA	16 A	68 W
FP10R06W1E3_B11 FP10R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12KE3 FP10R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.45 V	400 nA	15 A	20 mW
FP10R12W1T4 FP10R12W1T4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	20 A
FP10R12W1T4PB11BPSA1 FP10R12W1T4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12W1T4PBPSA1 FP10R12W1T4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12W1T4_B11 FP10R12W1T4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12W1T4_B29 FP10R12W1T4_B29	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B29: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12W1T4_B3 FP10R12W1T4_B3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T4_B3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1 FP10R12W1T7B11BOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7B11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.6 V	PIM	100 nA	10 A
FP10R12W1T7B3BOMA1 FP10R12W1T7B3BOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7B3BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.6 V	Quad	100 nA	10 A	20 mW
FP10R12W1T7PB3BPSA1 FP10R12W1T7PB3BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12W1T7PB3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.6 V	Quad	100 nA	10 A	20 mW
FP10R12YT3 FP10R12YT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Array 7	16 A
FP10R12YT3_B4 FP10R12YT3_B4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP10R12YT3_B4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP150R07N3E4 FP150R07N3E4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R07N3E4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FP150R07N3E4_B11 FP150R07N3E4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP150R07N3E4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon