История:
STM32L422TBY6TR
STM32L422RBI6
IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.3 V | Dual | 400 nA | 600 A | 2500 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 3300 V | 2.5 V | Dual | 400 nA | 450 A | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 3300 V | 2.5 V | Dual | 400 nA | 450 A | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | 100 nA | 50 A | 285 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.9 V | Dual | 400 nA | 700 A | 1650 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | Dual | 100 nA | 700 A | 1800 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Dual | 600 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Dual | 400 nA | 600 A | 3.35 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Dual | 400 nA | 995 A | 4050 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | Common Emitter | 400 nA | 600 A | 20 mW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.75 V | Dual | 400 nA | 600 A | 20 mW |
