Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF450R17ME4 FF450R17ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.3 V	Dual	400 nA	600 A	2500 W
FF450R17ME4P_B11 FF450R17ME4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R17ME4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R17ME4_B11 FF450R17ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R17ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R33T3E3B5BPSA1 FF450R33T3E3B5BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R33T3E3B5BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	2.5 V	Dual	400 nA	450 A
FF450R33T3E3BPSA1 FF450R33T3E3BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R33T3E3BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	2.5 V	Dual	400 nA	450 A
FF500R17KE4BOSA1 FF500R17KE4BOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF500R17KE4BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF50R12RT4 FF50R12RT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF50R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	100 nA	50 A	285 W
FF600R06ME3 FF600R06ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R06ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.9 V	Dual	400 nA	700 A	1650 W
FF600R07ME4_B11 FF600R07ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R07ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.95 V	Dual	100 nA	700 A	1800 W
FF600R12IE4 FF600R12IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	600 A
FF600R12IE4PNOSA1 FF600R12IE4PNOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12IE4PNOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12IE4V FF600R12IE4V	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12IE4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12IP4 FF600R12IP4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	600 A	3.35 kW
FF600R12IP4V FF600R12IP4V	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12IP4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12KE4BOSA1 FF600R12KE4BOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12KE4BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12KE4EBOSA1 FF600R12KE4EBOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12KE4EBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4 FF600R12ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	995 A	4050 W
FF600R12ME4A_B11 FF600R12ME4A_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4A_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4CB11BOSA1 FF600R12ME4CB11BOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4CB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4CBOSA1 FF600R12ME4CBOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4CBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4CP FF600R12ME4CP	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4CP: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4CP_B11 FF600R12ME4CP_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4CP_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4EB11BOSA1 FF600R12ME4EB11BOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4EB11BOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Common Emitter	400 nA	600 A	20 mW
FF600R12ME4P FF600R12ME4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4PB72BPSA1 FF600R12ME4PB72BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4PB72BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Dual	400 nA	600 A	20 mW