Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF600R12ME4P_B11 FF600R12ME4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R12ME4_B11 FF600R12ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R12ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R17KE3 FF600R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual Dual Collector Dual Emitter	900 A
FF600R17KE3_B2 FF600R17KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual Dual Collector Dual Emitter	950 A
FF600R17ME4 FF600R17ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R17ME4P FF600R17ME4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17ME4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R17ME4P_B11 FF600R17ME4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17ME4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF600R17ME4_B11 FF600R17ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF600R17ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF650R17IE4 FF650R17IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	400 nA	930 A	4.15 kW
FF650R17IE4DP_B2 FF650R17IE4DP_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4DP_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF650R17IE4D_B2 FF650R17IE4D_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF650R17IE4P FF650R17IE4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF650R17IE4V FF650R17IE4V	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF650R17IE4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF75R12RT4 FF75R12RT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	100 nA	75 A	395 W
FF75R12YT3 FF75R12YT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF75R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	100 A
FF800R12KE3 FF800R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	1200 A	3.9 kW
FF800R17KE3 FF800R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual Dual Collector Dual Emitter	1150 A
FF800R17KP4_B2 FF800R17KP4_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF800R17KP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF900R12IE4 FF900R12IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.05 V	400 nA	900 A	5.1 kW
FF900R12IE4PBOSA1 FF900R12IE4PBOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IE4PBOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF900R12IE4V FF900R12IE4V	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IE4V: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF900R12IP4 FF900R12IP4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	900 A	5.1 kW
FF900R12IP4D FF900R12IP4D	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	900 A
FF900R12IP4DV FF900R12IP4DV	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF900R12IP4P FF900R12IP4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF900R12IP4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon