IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Dual Dual Collector Dual Emitter | 900 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Dual Dual Collector Dual Emitter | 950 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2.45 V | Dual | 400 nA | 930 A | 4.15 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.15 V | Dual | 100 nA | 75 A | 395 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | Dual | 100 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 1200 A | 3.9 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Dual Dual Collector Dual Emitter | 1150 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.05 V | 400 nA | 900 A | 5.1 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Dual | 400 nA | 900 A | 5.1 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 900 A | |||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon |
