Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF400R07A01E3S6XKSA2 FF400R07A01E3S6XKSA2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R07A01E3S6XKSA2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	700 V	1.65 V	Dual	400 nA	400 A	1500 W
FF400R07KE4 FF400R07KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R07KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.55 V	IGBT-Inverter	400 nA	485 A	1250 W
FF400R12KE3 FF400R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	400 nA	580 A	2 kW
FF400R12KE3_B2 FF400R12KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	580 A
FF400R12KT3 FF400R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	400 nA	580 A	2 kW
FF400R12KT3P_E FF400R12KT3P_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KT3P_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	400 A
FF400R12KT3_E FF400R12KT3_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R12KT3_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF400R17KE4EHOSA1 FF400R17KE4EHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R17KE4EHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF400R17KE4HOSA1 FF400R17KE4HOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R17KE4HOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF400R33KF2C FF400R33KF2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	3.4 V	Dual	400 nA	660 A	4.8 kW
FF450R06ME3 FF450R06ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R06ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	550 A
FF450R07ME4_B11 FF450R07ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R07ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.95 V	Dual	100 nA	560 A	1450 W
FF450R12IE4 FF450R12IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	450 A
FF450R12KE4 FF450R12KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	400 nA	520 A	2400 W
FF450R12KE4PHOSA1 FF450R12KE4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R12KE4_E FF450R12KE4_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12KE4_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R12KT4 FF450R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	580 A	2400 W
FF450R12ME3 FF450R12ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	600 A	2.1 kW
FF450R12ME4 FF450R12ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	675 A	2250 W
FF450R12ME4EB11BPSA1 FF450R12ME4EB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME4EB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Common Emitter	400 nA	450 A	20 mW
FF450R12ME4P FF450R12ME4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R12ME4P_B11 FF450R12ME4P_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME4P_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R12ME4_B11 FF450R12ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R12ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R17IE4 FF450R17IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF450R17ME3 FF450R17ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF450R17ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual	605 A