Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF200R12KE4 FF200R12KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.05 V	Dual	400 nA	240 A	1100 W
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF200R12KS4 FF200R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Dual	400 nA	275 A	1.4 kW
FF200R12KS4PHOSA1 FF200R12KS4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KS4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF200R12KT3 FF200R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	295 A
FF200R12KT3_E FF200R12KT3_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KT3_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF200R12KT4 FF200R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	320 A
FF200R17KE3 FF200R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual	390 A
FF200R17KE3_S4 FF200R17KE3_S4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R17KE3_S4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF200R17KE4 FF200R17KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	100 nA	310 A	1250 W
FF200R33KF2C FF200R33KF2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	3300 V	3.4 V	Dual	400 nA	330 A	2.2 kW
FF225R12ME3 FF225R12ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	325 A
FF225R12ME4 FF225R12ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	400 nA	225 A	1050 W
FF225R12ME4PB11BPSA1 FF225R12ME4PB11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4PB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	400 nA	225 A	20 mW
FF225R12ME4PBPSA1 FF225R12ME4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Half Bridge	400 nA	450 A	20 mW
FF225R12ME4_B11 FF225R12ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	400 nA	225 A	1.05 kW
FF225R12MS4 FF225R12MS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R12MS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	275 A
FF225R17ME3 FF225R17ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual	340 A
FF225R17ME4 FF225R17ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.95 V	Dual	400 nA	340 A	1500 W
FF225R17ME4PBPSA1 FF225R17ME4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF225R17ME4_B11 FF225R17ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF225R17ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R06KE3 FF300R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	400 A
FF300R06KE3_B2 FF300R06KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R06KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R07KE4 FF300R07KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R07KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.75 V	Dual	400 nA	365 A	940 W
FF300R07ME4_B11 FF300R07ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R07ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	650 V	1.55 V	Dual	100 nA	390 A	1100 W