Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF300R12KE3 FF300R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	300 A	1450 W
FF300R12KE3_B2 FF300R12KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules
FF300R12KE4 FF300R12KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	400 nA	460 A	1600 W
FF300R12KE4_B2 FF300R12KE4_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KE4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R12KE4_E FF300R12KE4_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KE4_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R12KS4 FF300R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.75 V	Dual	400 nA	370 A	1950 W
FF300R12KS4PHOSA1 FF300R12KS4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KS4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Dual	400 nA	300 A
FF300R12KT3 FF300R12KT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	480 A
FF300R12KT3P_E FF300R12KT3P_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT3P_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	300 A
FF300R12KT3_E FF300R12KT3_E	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT3_E: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R12KT4 FF300R12KT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	450 A	1600 W
FF300R12KT4PHOSA1 FF300R12KT4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12KT4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Dual	400 nA	300 A
FF300R12ME3 FF300R12ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	500 A
FF300R12ME4 FF300R12ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Dual	0.4 uA	450 A	1.6 kW
FF300R12ME4_B11 FF300R12ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R12MS4 FF300R12MS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R12MS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	370 A
FF300R17KE3 FF300R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	400 nA	404 A	1450 W
FF300R17KE3_S4 FF300R17KE3_S4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17KE3_S4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R17KE4 FF300R17KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	100 nA	440 A	1800 W
FF300R17KE4PHOSA1 FF300R17KE4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R17ME3 FF300R17ME3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual	375 A
FF300R17ME4 FF300R17ME4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R17ME4PBPSA1 FF300R17ME4PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME4PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF300R17ME4_B11 FF300R17ME4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF300R17ME4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF400R06KE3 FF400R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF400R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	500 A