Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FF1200R12KE3 FF1200R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	1200 A	5 kW
FF1200R17IP5BPSA1 FF1200R17IP5BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17IP5BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.75 V	Dual	400 nA	1200 A
FF1200R17KE3 FF1200R17KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1700 V	2 V	Dual	400 nA	1600 A	5.95 kW
FF1200R17KP4_B2 FF1200R17KP4_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R17KP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1400R12IP4 FF1400R12IP4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1400R12IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.05 V	Dual	400 nA	1400 A	7.65 kW
FF1400R12IP4P FF1400R12IP4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1400R12IP4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1400R17IP4 FF1400R17IP4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1400R17IP4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.2 V	400 nA	1400 A	9.55 kW
FF1400R17IP4P FF1400R17IP4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1400R17IP4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1500R17IP5PBPSA1 FF1500R17IP5PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1500R17IP5PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF150R12KE3G FF150R12KE3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KE3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	225 A	780 W
FF150R12KE3G_B2 FF150R12KE3G_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KE3G_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules
FF150R12KE3_B8 FF150R12KE3_B8	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KE3_B8: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF150R12KS4 FF150R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Dual	400 nA	225 A	1.25 kW
FF150R12KT3G FF150R12KT3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.15 V	Dual	400 nA	225 A	780 W
FF150R12ME3G FF150R12ME3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	200 A	695 W
FF150R12MS4G FF150R12MS4G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12MS4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.7 V	Dual	400 nA	225 A	1250 W
FF150R12RT4 FF150R12RT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Dual	100 nA	150 A	790 W
FF150R12YT3 FF150R12YT3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12YT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Dual	200 A
FF150R17KE4 FF150R17KE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R17KE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	100 nA	250 A	1100 W
FF150R17ME3G FF150R17ME3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R17ME3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Dual	240 A
FF1800R12IE5BPSA1 FF1800R12IE5BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1800R12IE5BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1800R17IP5 FF1800R17IP5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1800R17IP5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.75 V	Dual	400 nA	1800 A	8.95 kW
FF200R06KE3 FF200R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Dual	260 A
FF200R12KE3 FF200R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	200 A	1.05 kW
FF200R12KE3_B2 FF200R12KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF200R12KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules