IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 15 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 15 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 15 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 19 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 25 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Hex | 29 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2 V | Hex | 400 nA | 39 A | 115 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1700 V | Single Dual Collector Dual Emitter | 1600 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 1200 V | 2.15 V | 100 nA | 150 A | 790 W | |||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 200 A | 1.04 kW | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | Single | 400 A | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 300 A | 1470 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 3.2 V | Single | 400 nA | 370 A | 1950 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon |
