Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FB10R06KL4 FB10R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	15 A
FB10R06KL4G FB10R06KL4G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	15 A
FB10R06KL4G_B1 FB10R06KL4G_B1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB10R06KL4G_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	15 A
FB15R06KL4_B1 FB15R06KL4_B1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB15R06KL4_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	19 A
FB20R06KL4_B1 FB20R06KL4_B1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB20R06KL4_B1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	25 A
FB20R06W1E3 FB20R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB20R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Hex	29 A
FB20R06W1E3_B11 FB20R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB20R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FB30R06W1E3 FB30R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FB30R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2 V	Hex	400 nA	39 A	115 W
FD1000R17IE4 FD1000R17IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD1000R17IE4D_B2 FD1000R17IE4D_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD1000R33HE3-K FD1000R33HE3-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R33HE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD1000R33HL3-K FD1000R33HL3-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1000R33HL3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD1200R17HP4-K_B2 FD1200R17HP4-K_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1200R17HP4-K_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD1200R17KE3-K FD1200R17KE3-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1200R17KE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Single Dual Collector Dual Emitter	1600 A
FD1400R12IP4D FD1400R12IP4D	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1400R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD150R12RT4 FD150R12RT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	2.15 V	100 nA	150 A	790 W
FD1600/1200R17HP4_B2 FD1600/1200R17HP4_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD1600/1200R17HP4_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD200R12KE3 FD200R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Single	400 nA	200 A	1.04 kW
FD200R12PT4_B6 FD200R12PT4_B6	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD200R12PT4_B6: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD250R65KE3-K FD250R65KE3-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD250R65KE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD300R06KE3 FD300R06KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R06KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Single	400 A
FD300R07PE4_B6 FD300R07PE4_B6	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R07PE4_B6: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD300R12KE3 FD300R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	1200 V	1.7 V	Single	400 nA	300 A	1470 W
FD300R12KS4 FD300R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Single	400 nA	370 A	1950 W
FD300R12KS4_B5 FD300R12KS4_B5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R12KS4_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon