Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
F3L400R07ME4_B22 F3L400R07ME4_B22	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L400R07ME4_B22: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F3L400R07ME4_B23 F3L400R07ME4_B23	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L400R07ME4_B23: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F3L400R10W3S7B11BPSA1 F3L400R10W3S7B11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L400R10W3S7B11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F3L400R12PT4_B26 F3L400R12PT4_B26	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L400R12PT4_B26: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F3L50R06W1E3_B11 F3L50R06W1E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L50R06W1E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.45 V	IGBT-Inverter	400 nA	75 A	175 W
F3L75R07W2E3_B11 F3L75R07W2E3_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L75R07W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F3L75R12W1H3_B27 F3L75R12W1H3_B27	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.45 V	3-Phase	100 nA	45 A	275 W
F4-100R06KL4 F4-100R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-100R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Quad	400 nA	130 A	430 W
F4-100R12KS4 F4-100R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-100R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Quad	130 A
F4-150R06KL4 F4-150R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-150R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Quad	180 A
F4-150R12KS4 F4-150R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-150R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Quad	180 A
F4-200R06KL4 F4-200R06KL4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-200R06KL4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Quad	225 A
F4-50R12KS4 F4-50R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-50R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.75 V	Quad	400 nA	70 A	355 W
F4-50R12KS4_B11 F4-50R12KS4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-50R12KS4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F4-75R06W1E3 F4-75R06W1E3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R06W1E3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	Quad	100 A
F4-75R12KS4 F4-75R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Quad	100 A
F4-75R12KS4_B11 F4-75R12KS4_B11	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4-75R12KS4_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F4100R17N3E4BPSA1 F4100R17N3E4BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4100R17N3E4BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F4150R17ME4B11BPSA1 F4150R17ME4B11BPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F4150R17ME4B11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F450R07W1H3B11ABOMA1 F450R07W1H3B11ABOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F450R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F475R07W1H3B11ABOMA1 F475R07W1H3B11ABOMA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F475R07W1H3B11ABOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
F5-75R06KE3_B5 F5-75R06KE3_B5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F5-75R06KE3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FAM65CR51DZ2 FAM65CR51DZ2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65CR51DZ2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	Dual	160 W
FAM65HR51DS2 FAM65HR51DS2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65HR51DS2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor	IGBT Silicon Modules	Quad	135 W
FAM65V05DF1 FAM65V05DF1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FAM65V05DF1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	ON Semiconductor