Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
FD300R17KE4PHOSA1 FD300R17KE4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD300R17KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	1.95 V	Single	100 nA	300 A
FD400R07PE4R_B6 FD400R07PE4R_B6	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R07PE4R_B6: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD400R12KE3 FD400R12KE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	580 A
FD400R12KE3_B5 FD400R12KE3_B5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R12KE3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD400R33KF2C FD400R33KF2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	330 V	3.4 V	Single	400 nA	400 A	4.8 kW
FD400R33KF2C-K FD400R33KF2C-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD400R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	Single Dual Collector Dual Emitter	660 A
FD450R12KE4PHOSA1 FD450R12KE4PHOSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD450R12KE4PHOSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.75 V	Single	400 nA	450 A
FD500R65KE3-K FD500R65KE3-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD500R65KE3-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD600R06ME3_S2 FD600R06ME3_S2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD600R06ME3_S2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD600R17KE3_B2 FD600R17KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD600R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Single Dual Collector Dual Emitter	950 A
FD650R17IE4 FD650R17IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD650R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD800R17HP4-K_B2 FD800R17HP4-K_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R17HP4-K_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD800R17KE3_B2 FD800R17KE3_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R17KE3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Single Dual Collector Dual Emitter	1200 A
FD800R33KF2C FD800R33KF2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R33KF2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	3.4 V	Dual	400 nA	1300 A	9.6 kW
FD800R33KF2C-K FD800R33KF2C-K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD800R33KF2C-K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	3300 V	Dual	1300 A
FD900R12IP4D FD900R12IP4D	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD900R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FD900R12IP4DV FD900R12IP4DV	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FD900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1000R17IE4 FF1000R17IE4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	2.45 V	Dual	400 nA	1390 A	6.25 kW
FF1000R17IE4DP_B2 FF1000R17IE4DP_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4DP_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1000R17IE4D_B2 FF1000R17IE4D_B2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF1000R17IE4P FF1000R17IE4P	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1000R17IE4P: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
FF100R12KS4 FF100R12KS4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF100R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Dual	400 nA	150 A	780 W
FF100R12RT4 FF100R12RT4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF100R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2 V	100 nA	555 W
FF1200R12IE5 FF1200R12IE5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R12IE5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	400 nA	1200 A	20 mW
FF1200R12IE5PBPSA1 FF1200R12IE5PBPSA1	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF1200R12IE5PBPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon