История:
1N6115AUS
IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Carbide Modules | 650 V | 1.4 V | Dual | 100 nA | 20 A | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | Single | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | Single | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Carbide Modules | 1200 V | 1.75 V | Dual | 100 nA | 50 A | 20 mW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.45 V | IGBT-Inverter | 400 nA | 150 A | 335 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.85 V | 3-Phase | 100 nA | 25 A | 215 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.95 V | 400 nA | 300 A | 940 W | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon |
