Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
DF600R12IP4DV DF600R12IP4DV DF600R12IP4DV
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF600R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF650R17IE4 DF650R17IE4 DF650R17IE4
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF650R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF75R12W1H4F_B11 DF75R12W1H4F_B11 DF75R12W1H4F_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF75R12W1H4F_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF80R07W1H5FPB11BPSA1 DF80R07W1H5FPB11BPSA1 DF80R07W1H5FPB11BPSA1
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF80R07W1H5FPB11BPSA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Carbide Modules 650 V 1.4 V Dual 100 nA 20 A
DF80R12W2H3F_B11 DF80R12W2H3F_B11 DF80R12W2H3F_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF80R12W2H3F_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF900R12IP4D DF900R12IP4D DF900R12IP4D
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF900R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF900R12IP4DV DF900R12IP4DV DF900R12IP4DV
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF900R12IP4DV: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DZ3600S17K3_B2 DZ3600S17K3_B2 DZ3600S17K3_B2
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DZ3600S17K3_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon Single
DZ800S17K3 DZ800S17K3 DZ800S17K3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DZ800S17K3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon Single
F12-25R12KT4G F12-25R12KT4G F12-25R12KT4G
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F12-25R12KT4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L100R07W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L100R12W2H3_B11 F3L100R12W2H3_B11 F3L100R12W2H3_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L11MR12W2M1B65BOMA1 F3L11MR12W2M1B65BOMA1 F3L11MR12W2M1B65BOMA1
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L11MR12W2M1B65BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Carbide Modules 1200 V 1.75 V Dual 100 nA 50 A 20 mW
F3L150R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L150R07W2E3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 650 V 1.45 V IGBT-Inverter 400 nA 150 A 335 W
F3L150R12W2H3_B11 F3L150R12W2H3_B11 F3L150R12W2H3_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L150R12W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L15R12W2H3_B27 F3L15R12W2H3_B27 F3L15R12W2H3_B27
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L15R12W2H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L200R07PE4 F3L200R07PE4 F3L200R07PE4
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L200R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L200R12W2H3_B11 F3L200R12W2H3_B11 F3L200R12W2H3_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L200R12W2H3_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L25R12W1T4B27BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 1.85 V 3-Phase 100 nA 25 A 215 W
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4 F3L300R07PE4
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R07PE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 650 V 1.95 V 400 nA 300 A 940 W
F3L300R12ME4_B22 F3L300R12ME4_B22 F3L300R12ME4_B22
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12ME4_B22: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L300R12ME4_B23 F3L300R12ME4_B23 F3L300R12ME4_B23
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12ME4_B23: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L300R12MT4_B22 F3L300R12MT4_B22 F3L300R12MT4_B22
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12MT4_B22: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L300R12MT4_B23 F3L300R12MT4_B23 F3L300R12MT4_B23
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12MT4_B23: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
F3L300R12PT4_B26 F3L300R12PT4_B26 F3L300R12PT4_B26
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module F3L300R12PT4_B26: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
...1718192021...