Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
BSM50GP60 BSM50GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Hex	300 nA	70 A	250 W
BSM50GP60G BSM50GP60G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Hex	300 nA	70 A	250 W
BSM50GX120DN2 BSM50GX120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GX120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	3-Phase	200 nA	78 A	400 W
BSM75GAL120DN2 BSM75GAL120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GAL120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	400 nA	105 A	625 W
BSM75GB120DLC BSM75GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Dual	400 nA	170 A	690 W
BSM75GB120DN2 BSM75GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	320 nA	105 A	625 W
BSM75GB60DLC BSM75GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Dual	400 nA	100 A	355 W
BSM75GD120DLC BSM75GD120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GD120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.9 V	Hex	125 A	500 W
BSM75GD120DN2 BSM75GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	320 nA	103 A	520 W
BSM75GD60DLC BSM75GD60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Hex	400 nA	95 A	330 W
BSM75GP60 BSM75GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM75GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Hex	300 nA	100 A	310 W
BYM300A120DN2 BYM300A120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM300A120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	Single
BYM300B170DN2 BYM300B170DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM300B170DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1700 V	Single	300 A
BYM600A170DN2 BYM600A170DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BYM600A170DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
CAB400M12XM3 CAB400M12XM3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module CAB400M12XM3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Wolfspeed / Cree
DD1000S33HE3 DD1000S33HE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1000S33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
DD1200S12H4 DD1200S12H4	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1200S12H4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
DD1200S33K2C DD1200S33K2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1200S33K2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	Dual Parallel
DD1200S45KL3_B5 DD1200S45KL3_B5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD1200S45KL3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
DD200S33K2C DD200S33K2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD200S33K2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	Dual
DD250S65K3 DD250S65K3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD250S65K3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
DD400S33K2C DD400S33K2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD400S33K2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	Dual Parallel	800 kW
DD400S33KL2C DD400S33KL2C	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD400S33KL2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	Dual
DD400S45KL3_B5 DD400S45KL3_B5	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD400S45KL3_B5: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon
DD500S33HE3 DD500S33HE3	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD500S33HE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon