IGBT Modules
| Товар | Цена | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Hex | 400 nA | 160 A | 650 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Hex | 400 nA | 150 A | 680 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Hex | 400 nA | 130 A | 430 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Hex | 300 nA | 135 A | 250 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.7 V | Hex | 120 nA | 15 A | 80 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.7 V | Hex | 120 nA | 15 A | 80 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.4 V | Hex | 300 nA | 20 A | 100 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Hex | 300 nA | 20 A | 80 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Dual | 400 nA | 300 A | 1.25 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Half Bridge | 320 nA | 210 A | 1.25 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Dual | 400 nA | 180 A | 730 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Hex | 400 nA | 35 A | 145 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Hex | 150 nA | 25 A | 145 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Hex | 150 nA | 25 A | 145 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.2 V | Hex | 300 nA | 35 A | 180 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Array 7 | 300 nA | 20 A | 100 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Single Dual Emitter | 400 nA | 370 A | 1450 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Single Dual Emitter | 400 nA | 370 A | 1450 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Single | 200 nA | 300 A | 1550 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.1 V | Dual | 400 nA | 420 A | 1550 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Half Bridge | 400 nA | 290 A | 1.4 kW | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Dual | 400 nA | 230 A | 445 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 2.45 V | Hex | 400 nA | 226 A | 700 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.95 V | Hex | 300 nA | 35 A | 130 W | |
|
|
поиск предложений
|
Infineon | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 2.5 V | Hex | 180 nA | 35 A | 200 W |
