Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
BSM100GD120DLC BSM100GD120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GD120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Hex	400 nA	160 A	650 W
BSM100GD120DN2 BSM100GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	400 nA	150 A	680 W
BSM100GD60DLC BSM100GD60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	400 nA	130 A	430 W
BSM100GP60 BSM100GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	300 nA	135 A	250 W
BSM10GD120DN2 BSM10GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.7 V	Hex	120 nA	15 A	80 W
BSM10GD120DN2E3224 BSM10GD120DN2E3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.7 V	Hex	120 nA	15 A	80 W
BSM10GP120 BSM10GP120	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Hex	300 nA	20 A	100 W
BSM10GP60 BSM10GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM10GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	300 nA	20 A	80 W
BSM150GB120DLC BSM150GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM150GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	300 A	1.25 kW
BSM150GB120DN2 BSM150GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM150GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	320 nA	210 A	1.25 kW
BSM150GB60DLC BSM150GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM150GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Dual	400 nA	180 A	730 W
BSM15GD120DLCE3224 BSM15GD120DLCE3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GD120DLCE3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Hex	400 nA	35 A	145 W
BSM15GD120DN2 BSM15GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	150 nA	25 A	145 W
BSM15GD120DN2E3224 BSM15GD120DN2E3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	150 nA	25 A	145 W
BSM15GP120 BSM15GP120	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.2 V	Hex	300 nA	35 A	180 W
BSM15GP60 BSM15GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM15GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Array 7	300 nA	20 A	100 W
BSM200GA120DLC BSM200GA120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GA120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Single Dual Emitter	400 nA	370 A	1450 W
BSM200GA120DLCS BSM200GA120DLCS	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GA120DLCS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Single Dual Emitter	400 nA	370 A	1450 W
BSM200GA120DN2 BSM200GA120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Single	200 nA	300 A	1550 W
BSM200GB120DLC BSM200GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	420 A	1550 W
BSM200GB120DN2 BSM200GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	400 nA	290 A	1.4 kW
BSM200GB60DLC BSM200GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Dual	400 nA	230 A	445 W
BSM200GD60DLC BSM200GD60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM200GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.45 V	Hex	400 nA	226 A	700 W
BSM20GP60 BSM20GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM20GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	300 nA	35 A	130 W
BSM25GD120DN2 BSM25GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	180 nA	35 A	200 W