Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
APTGT75SK120TG APTGT75SK120TG	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75SK120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Single	400 nA	110 A	357 W
APTGT75TA120PG APTGT75TA120PG	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75TA120PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	3-Phase	400 nA	100 A	350 W
APTGT75TDU60PG APTGT75TDU60PG	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	Triple Dual Common Source	600 nA	100 A	250 W
APTGT75TL60T3G APTGT75TL60T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75TL60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	600 nA	100 A	250 W
APTGT75X60T3G APTGT75X60T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	3-Phase	600 nA	100 A	250 W
APTGTQ100A65T1G APTGTQ100A65T1G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100A65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Dual	240 nA	100 A	250 W
APTGTQ100DA65T1G APTGTQ100DA65T1G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100DA65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Single	240 nA	100 A	250 W
APTGTQ100DDA65T3G APTGTQ100DDA65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100DDA65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Dual	240 nA	100 A	250 W
APTGTQ100H65T3G APTGTQ100H65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100H65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Quad	240 nA	100 A	250 W
APTGTQ100SK65T1G APTGTQ100SK65T1G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ100SK65T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Single	240 nA	100 A	250 W
APTGTQ150TA65TPG APTGTQ150TA65TPG	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ150TA65TPG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Hex	360 nA	150 A	365 W
APTGTQ200A65T3G APTGTQ200A65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200A65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Dual	480 nA	200 A	483 W
APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200DA65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200DA65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Single	480 nA	200 A	483 W
APTGTQ200SK65T3G APTGTQ200SK65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ200SK65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Single	480 nA	200 A	483 W
APTGTQ50TA65T3G APTGTQ50TA65T3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGTQ50TA65T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	650 V	1.65 V	Hex	120 nA	50 A	125 W
APTGV50H60BT3G APTGV50H60BT3G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGV50H60BT3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip
APTLGL325A1208G APTLGL325A1208G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTLGL325A1208G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.85 V	Dual	420 A	1.5 kW
APTLGT300A1208G APTLGT300A1208G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTLGT300A1208G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	1200 V	1.7 V	Dual	440 A	1.4 kW
APTLGT400A608G APTLGT400A608G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTLGT400A608G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Microchip	IGBT Silicon Modules	600 V	1.5 V	Dual	600 A	1.25 kW
BSM100GAL120DLCK BSM100GAL120DLCK	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GAL120DLCK: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Single	400 nA	205 A	830 W
BSM100GB120DLC BSM100GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	200 A	780 W
BSM100GB120DLCK BSM100GB120DLCK	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DLCK: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	205 A	835 W
BSM100GB120DN2 BSM100GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	200 nA	150 A	800 W
BSM100GB120DN2K BSM100GB120DN2K	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB120DN2K: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	400 nA	145 A	700 W
BSM100GB60DLC BSM100GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM100GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Dual	400 nA	130 A	445 W