Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Товар	Цена	Описание	Manufacturer	Product	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Configuration	Gate-Emitter Leakage Current	Continuous Collector Current	Power Dissipation
BSM25GD120DN2E3224 BSM25GD120DN2E3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	180 nA	35 A	200 W
BSM25GP120 BSM25GP120	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM25GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1600 V	2.55 V	Array 7	300 nA	45 A	230 W
BSM300GA120DLC BSM300GA120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GA120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.6 V	Single Dual Emitter	400 nA	570 A	2250 W
BSM300GA120DLCS BSM300GA120DLCS	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GA120DLCS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Single Dual Emitter	400 nA	570 A	2250 W
BSM300GA120DN2 BSM300GA120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Single	320 nA	430 A	2500 W
BSM300GB120DLC BSM300GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Dual	400 nA	625 A	2500 W
BSM300GB60DLC BSM300GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM300GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Dual	400 nA	375 A	1.25 kW
BSM30GD60DLC BSM30GD60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	1.95 V	Hex	400 nA	40 A	135 W
BSM30GP60 BSM30GP60	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM30GP60: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.45 V	Hex	300 nA	50 A	180 W
BSM35GB120DN2 BSM35GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	3.2 V	Half Bridge	150 nA	50 A	280 W
BSM35GD120DLCE3224 BSM35GD120DLCE3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GD120DLCE3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Hex	400 nA	70 A	280 W
BSM35GD120DN2E3224 BSM35GD120DN2E3224	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GD120DN2E3224: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.7 V	Hex	150 nA	50 A	280 W
BSM35GP120 BSM35GP120	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Hex	300 nA	45 A	230 W
BSM35GP120G BSM35GP120G	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM35GP120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Hex	300 nA	45 A	230 W
BSM400GA120DLC BSM400GA120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.1 V	Single Dual Emitter	400 nA	625 A	2500 W
BSM400GA120DN2 BSM400GA120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM400GA120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	Single	550 A	2.7 kW
BSM50GAL120DN2 BSM50GAL120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GAL120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	400 nA	78 A	400 W
BSM50GB120DLC BSM50GB120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Dual	400 nA	115 A	460 W
BSM50GB120DN2 BSM50GB120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Half Bridge	200 nA	78 A	400 W
BSM50GB60DLC BSM50GB60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GB60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Dual	400 nA	75 A	280 W
BSM50GD120DLC BSM50GD120DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.4 V	Hex	400 nA	85 A	350 W
BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	200 nA	72 A	350 W
BSM50GD120DN2E3226 BSM50GD120DN2E3226	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD120DN2E3226: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	200 nA	50 A	350 W
BSM50GD60DLC BSM50GD60DLC	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GD60DLC: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	600 V	2.2 V	Hex	400 nA	70 A	250 W
BSM50GP120 BSM50GP120	поиск предложений	Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GP120: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором Подробнее	Infineon	IGBT Silicon Modules	1200 V	2.5 V	Hex	300 nA	80 A	360 W