Фильтры
Сбросить все
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы IGBT Modules

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
DD500S65K3 DD500S65K3 DD500S65K3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD500S65K3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DD600S65K3 DD600S65K3 DD600S65K3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD600S65K3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DD750S65K3 DD750S65K3 DD750S65K3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD750S65K3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DD800S33K2C DD800S33K2C DD800S33K2C
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DD800S33K2C: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon Dual Parallel
DDB2U30N08VR DDB2U30N08VR DDB2U30N08VR
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB2U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Single 25 A
DDB6U134N16RR DDB6U134N16RR DDB6U134N16RR
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U134N16RR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DDB6U180N16RR_B11 DDB6U180N16RR_B11 DDB6U180N16RR_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U180N16RR_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DDB6U30N08VR DDB6U30N08VR DDB6U30N08VR
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U30N08VR: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 600 V Single 26 A
DDB6U75N16W1R DDB6U75N16W1R DDB6U75N16W1R
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U75N16W1R: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DDB6U75N16W1R_B11 DDB6U75N16W1R_B11 DDB6U75N16W1R_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DDB6U75N16W1R_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF1000R17IE4 DF1000R17IE4 DF1000R17IE4
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF1000R17IE4D_B2 DF1000R17IE4D_B2 DF1000R17IE4D_B2
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2 DF100R07W1H5FPB53BPSA2
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF100R07W1H5FPB53BPSA2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF120R12W2H3_B27 DF120R12W2H3_B27 DF120R12W2H3_B27
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF120R12W2H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF1400R12IP4D DF1400R12IP4D DF1400R12IP4D
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF1400R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF150R12RT4 DF150R12RT4 DF150R12RT4
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF150R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V 2.15 V 100 nA 150 A 790 W
DF160R12W2H3F_B11 DF160R12W2H3F_B11 DF160R12W2H3F_B11
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF160R12W2H3F_B11: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF200R12KE3 DF200R12KE3 DF200R12KE3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 1.7 V Single 400 nA 200 A 1.04 kW
DF200R12PT4_B6 DF200R12PT4_B6 DF200R12PT4_B6
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12PT4_B6: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF200R12W1H3FB11BOMA1 DF200R12W1H3FB11BOMA1 DF200R12W1H3FB11BOMA1
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12W1H3FB11BOMA1: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF200R12W1H3_B27 DF200R12W1H3_B27 DF200R12W1H3_B27
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF200R12W1H3_B27: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF300R07PE4_B6 DF300R07PE4_B6 DF300R07PE4_B6
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF300R07PE4_B6: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
DF300R12KE3 DF300R12KE3 DF300R12KE3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF300R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon 1200 V 1.7 V Single 400 nA 300 A 1470 W
DF400R12KE3 DF400R12KE3 DF400R12KE3
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF400R12KE3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon IGBT Silicon Modules 1200 V Single 580 A
DF600R12IP4D DF600R12IP4D DF600R12IP4D
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module DF600R12IP4D: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее 		Infineon
...1617181920...