Фильтры
Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

IGBT Modules

Manufacturer
Product
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Configuration
Gate-Emitter Leakage Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Сбросить все
Сравнить 0 товара
Товар Количество Цена Описание Manufacturer Product Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Configuration Gate-Emitter Leakage Current Continuous Collector Current Power Dissipation
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50SK170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 75 A 312 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TA60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 3-Phase 600 nA 80 A 176 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU170PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Triple Dual Common Source 400 nA 70 A 310 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Triple Dual Common Source 600 nA 80 A 176 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 600 nA 80 A 176 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TL60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V 600 nA 80 A 176 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Hex 600 nA 80 A 176 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Dual 800 nA 700 A 2.3 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600DA60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Single 800 nA 700 A 2.3 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600DU60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Dual 800 nA 700 A 2.3 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600SK60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.4 V Single 800 nA 700 A 2.3 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 900 A 2.5 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U170D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1700 V 2 V Single 400 nA 1100 A 2.9 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT750U60D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 3.1 uA 1000 A 2.3 kW
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 110 A 357 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 600 nA 100 A 250 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DA120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Single 400 nA 110 A 357 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Single 600 nA 100 A 250 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DDA60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Dual 600 nA 100 A 250 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DH120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 110 A 357 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Dual 400 nA 100 A 350 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 1200 V 1.7 V Full Bridge 400 nA 110 A 357 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 100 A 250 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 100 A 250 W
поиск предложений
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
Microchip IGBT Silicon Modules 600 V 1.5 V Full Bridge 600 nA 100 A 250 W
...1112131415...