IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50SK170TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 400 nA | 75 A | 312 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TA60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 3-Phase | 600 nA | 80 A | 176 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU170PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Triple Dual Common Source | 400 nA | 70 A | 310 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TDU60PG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Triple Dual Common Source | 600 nA | 80 A | 176 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 600 nA | 80 A | 176 W | ||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50TL60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 600 nA | 80 A | 176 W | ||
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT50X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Hex | 600 nA | 80 A | 176 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600A60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Dual | 800 nA | 700 A | 2.3 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600DA60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Single | 800 nA | 700 A | 2.3 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600DU60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Dual | 800 nA | 700 A | 2.3 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600SK60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Single | 800 nA | 700 A | 2.3 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U120D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 900 A | 2.5 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT600U170D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 400 nA | 1100 A | 2.9 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT750U60D4G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 3.1 uA | 1000 A | 2.3 kW | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 110 A | 357 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75A60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 600 nA | 100 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DA120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 400 nA | 110 A | 357 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DA60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 600 nA | 100 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DDA60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 600 nA | 100 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DH120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 110 A | 357 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75DU120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 100 A | 350 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H120TG: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Full Bridge | 400 nA | 110 A | 357 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 600 nA | 100 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T2G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 600 nA | 100 A | 250 W | |
|
|
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT75H60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 600 nA | 100 A | 250 W |
