История:
PBSH-M12A-03P-MM-SL7002
IGBT Modules
| Товар | Количество | Цена | Описание | Manufacturer | Product | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Configuration | Gate-Emitter Leakage Current | Continuous Collector Current | Power Dissipation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DA60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Single | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DH60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Dual | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DU120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 600 nA | 420 A | 1.38 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DU170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 600 nA | 400 A | 1.66 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300DU60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Dual | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300H60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Full Bridge | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300SK120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 600 nA | 420 A | 1.38 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300SK170G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Single | 600 nA | 400 A | 1.66 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300SK60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 400 A | 940 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300SK60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.4 V | Single | 500 nA | 430 A | 1.15 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300TL60G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 800 nA | 400 A | 935 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT300TL65G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 650 V | 1.5 V | 800 nA | 400 A | 935 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30A170T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Dual | 600 nA | 45 A | 210 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30H170T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1700 V | 2 V | Full Bridge | 600 nA | 45 A | 210 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30H60T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Full Bridge | 300 nA | 50 A | 90 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30TL601G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 300 nA | 50 A | 90 W | ||
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT30X60T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | 3-Phase | 300 nA | 50 A | 90 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT35A120T1G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 55 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT35H120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Full Bridge | 400 nA | 55 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT35X120T3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | 3-Phase | 400 nA | 55 A | 208 W | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400A120D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 400 nA | 580 A | 2.1 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400A120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Dual | 600 nA | 560 A | 1.785 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400A60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Dual | 400 nA | 500 A | 1.25 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400DA120G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 1200 V | 1.7 V | Single | 800 nA | 560 A | 1.785 kW | |
|
|
в наличии
|
поиск предложений
|
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module APTGT400DA60D3G: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Подробнее
|
Microchip | IGBT Silicon Modules | 600 V | 1.5 V | Single | 400 nA | 500 A | 1.25 kW |
